Infineon Technologies SP000089223
- 收藏
- 对比
SP000089223
1211-SP000089223
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

P-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
SP000089223详情
Infineon Technologies SP000089223重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装
PG-SOT223-4-21
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
260mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
12Ohm @ 260mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 130μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
104 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.4 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
250 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
SP000089223拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。