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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.237913
10
¥7.771616
100
¥7.331714
500
¥6.91671
1000
¥6.5252
Infineon Technologies SPA07N60CFDXKSA1
- 收藏
- 对比
SPA07N60CFDXKSA1
1211-SPA07N60CFDXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPA07N60CFDXKSA1详情
Infineon Technologies SPA07N60CFDXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
32W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
700m Ω @ 4.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 300μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
790pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
47nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.6A
漏极-源极导通最大电阻
0.7Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
17A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
230 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SPA07N60CFDXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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