Infineon Technologies SPB03N60C3E3045
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SPB03N60C3E3045
1211-SPB03N60C3E3045
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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SPB03N60C3E3045详情
Infineon Technologies SPB03N60C3E3045重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
PG-TO263-3-2
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
38W (Tc)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 135μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
400 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
SPB03N60C3E3045拓展信息
Infineon Technologies
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