Infineon Technologies SPB100N03S2L03T
- 收藏
- 对比
SPB100N03S2L03T
1211-SPB100N03S2L03T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
1最小包装量--
SPB100N03S2L03T详情
Infineon Technologies SPB100N03S2L03T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO263-3-2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
300W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2003
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
30V
额定电流
100A
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.7mOhm @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8180pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
220nC @ 10V
上升时间
67ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
100A
输入电容
8.18nF
最大rds
2.7 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
SPB100N03S2L03T拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。