Infineon Technologies SPB11N60C2
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SPB11N60C2
1211-SPB11N60C2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
SPB11N60C2详情
Infineon Technologies SPB11N60C2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
PG-TO263-3-2
厂商
Infineon Technologies
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A (Tc)
Product Status
活跃
Package
Bulk
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
RoHS
Non-Compliant
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 500μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1460 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41.5 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
11 A
场效应管特性
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SPB11N60C2拓展信息
Infineon Technologies
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