Infineon Technologies SPB21N10 G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

90W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

Reach合规守则

unknown

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 44μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

865pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38.4nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21A

RoHS状态

符合RoHS标准