Infineon Technologies SPB21N10T
- 收藏
- 对比
SPB21N10T
1211-SPB21N10T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
1最小包装量--
SPB21N10T详情
Infineon Technologies SPB21N10T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
PG-TO263-3-2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
90W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
100V
额定电流
21A
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
80mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 44μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
865pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38.4nC @ 10V
上升时间
56ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
21A
输入电容
865pF
最大rds
80 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
SPB21N10T拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。