Infineon Technologies SPB35N10

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

100V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

额定电流

35A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

44m Ω @ 26.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 83μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1570pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65nC @ 10V

上升时间

63ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

35A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.044Ohm

雪崩能量等级（Eas）

245 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant