Infineon Technologies SPB35N10T
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SPB35N10T
1211-SPB35N10T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
1最小包装量--
SPB35N10T详情
Infineon Technologies SPB35N10T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
PG-TO263-3-2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
35A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
150W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
100V
额定电流
35A
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
44mOhm @ 26.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 83μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1570pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
65nC @ 10V
上升时间
63ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
35A
输入电容
1.57nF
最大rds
44 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
SPB35N10T拓展信息
Infineon Technologies
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