Infineon Technologies SPB80P06PGATMA1

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

340W Tc

Turn Off Delay Time

56 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-60V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-80A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

340W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 64A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 5.5mA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5033pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

173nC @ 10V

上升时间

18ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

-80A

阈值电压

-3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

-60V

漏源击穿电压

-60V

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

4.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅