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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.167689
10
¥2.04499
100
¥1.929236
500
¥1.820033
1000
¥1.717013
Infineon Technologies SPD02N50C3BTMA1
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- 对比
SPD02N50C3BTMA1
1211-SPD02N50C3BTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Trans MOSFET N-CH 500V 1.8A 3-Pin(2 Tab) TO-252
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPD02N50C3BTMA1详情
Infineon Technologies SPD02N50C3BTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
52 Weeks
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.8A
漏极-源极导通最大电阻
3Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
5.4A
DS 击穿电压-最小值
500V
雪崩能量等级(Eas)
50 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
符合RoHS标准
SPD02N50C3BTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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