SPD04N60C2
SPD04N60C2

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Infineon Technologies SPD04N60C2

  • 收藏
  • 对比

型号

SPD04N60C2

utmel 编号

1211-SPD04N60C2

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-CHANNEL POWER MOSFET

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
SPD04N60C2
SPD04N60C2 Infineon Technologies N-CHANNEL POWER MOSFET

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SPD04N60C2详情

Infineon Technologies SPD04N60C2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    PG-TO252-3-1

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    活跃

  • Power Dissipation (Max)

    50W (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    4.5A (Tc)

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    950mOhm @ 2.8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.5V @ 200μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    580 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    22.9 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies SPD04N60C2.

SPD04N60C2拓展信息

IRFR6215TRPBF
IRFR6215TRPBF

Infineon Technologies

IRFR5505TRPBF
IRFR5505TRPBF

Infineon Technologies

IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF

Infineon Technologies

IRFR220NTRPBF
IRFR220NTRPBF

Infineon Technologies

IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

Infineon Technologies

IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NTRPBF

Infineon Technologies

IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

Infineon Technologies

IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF

Infineon Technologies

IRLR024NTRPBF
IRLR024NTRPBF

Infineon Technologies

IRLL2705TRPBF
IRLL2705TRPBF

Infineon Technologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z