Infineon Technologies SPD30P06P

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-60V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-30A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 21.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1.7mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1535pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 10V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.075Ohm

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅