Infineon Technologies SPD50P03LGXT
- 收藏
- 对比
SPD50P03LGXT
1211-SPD50P03LGXT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
大陆
立即发货

MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
1最小包装量--
SPD50P03LGXT详情
Infineon Technologies SPD50P03LGXT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
表面安装
YES
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS®-P
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
4
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6880pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
126nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
漏极-源极导通最大电阻
0.007Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
符合RoHS标准
SPD50P03LGXT拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。