Infineon Technologies SPI20N60C3XKSA1
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SPI20N60C3XKSA1
1211-SPI20N60C3XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
1最小包装量--
SPI20N60C3XKSA1详情
Infineon Technologies SPI20N60C3XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
供应商器件包装
PG-TO262-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20.7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
208W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
114nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
SPI20N60C3XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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