Infineon Technologies SPI20N60CFDHKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.7A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

208W Tc

Turn Off Delay Time

59 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 13.1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

124nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6.4 ns

连续放电电流(ID)

20.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

690 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准