Infineon Technologies SPI35N10

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

Turn Off Delay Time

39 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

SIPMOS®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

100V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

35A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

44m Ω @ 26.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 83μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1570pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65nC @ 10V

上升时间

63ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

35A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.044Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

140A

雪崩能量等级（Eas）

245 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅