Infineon Technologies SPN03N60S5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

700mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Turn Off Delay Time

120 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

HIGH VOLTAGE

电压 - 额定直流

600V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

700mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 135μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.8nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

700mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.7A

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

3A

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

高度

1.6mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅