Infineon Technologies SPP06N80C3XK
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SPP06N80C3XK
1211-SPP06N80C3XK
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
1最小包装量--
SPP06N80C3XK详情
Infineon Technologies SPP06N80C3XK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
83W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
900m Ω @ 3.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
785pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
800V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏极-源极导通最大电阻
0.9Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
18A
DS 击穿电压-最小值
800V
RoHS状态
符合RoHS标准
SPP06N80C3XK拓展信息
Infineon Technologies
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