Infineon Technologies SPP11N60S5HKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

150 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5.5V @ 500μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

130 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1460pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

54nC @ 10V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

11A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.38Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

340 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准