Infineon Technologies SPP80N06S2L-06
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SPP80N06S2L-06
1211-SPP80N06S2L-06
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
--最小包装量--
SPP80N06S2L-06详情
Infineon Technologies SPP80N06S2L-06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
250W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2003
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
55V
端子位置
SINGLE
Reach合规守则
unknown
额定电流
80A
引脚数量
3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.3m Ω @ 69A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 180μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5050pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
150nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
80A
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.0084Ohm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
SPP80N06S2L-06拓展信息
Infineon Technologies
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