Infineon Technologies SPS02N60C3BKMA1
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SPS02N60C3BKMA1
1211-SPS02N60C3BKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Trans MOSFET N-CH 650V 1.8A 3-Pin(3 Tab) TO-251
1最小包装量--
SPS02N60C3BKMA1详情
Infineon Technologies SPS02N60C3BKMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.8A
漏极-源极导通最大电阻
3Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
5.4A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
50 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
符合RoHS标准
SPS02N60C3BKMA1拓展信息
Infineon Technologies
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