Infineon Technologies SPU08P06P

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.83A Ta

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

Power Dissipation (Max)

42W Tc

包装

Tube

系列

SIPMOS®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

-60V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-8.8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 6.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

420pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

46ns

漏源电压 (Vdss)

60V

连续放电电流(ID)

8.83A

漏极-源极导通最大电阻

0.3Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

35.32A

雪崩能量等级（Eas）

70 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅