Infineon Technologies SPU30N03S2-08

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

30V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

30A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.2m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 85μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2170pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

30A

漏极-源极导通最大电阻

0.0082Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅