Infineon Technologies SPW17N80C3A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

227W Tc

Turn Off Delay Time

72 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2003

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

电压 - 额定直流

800V

额定电流

17A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

208W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

290m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2320pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

177nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

17A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.29Ohm

漏源击穿电压

800V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

51A

雪崩能量等级（Eas）

670 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅