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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥67.895105
10
¥64.051986
100
¥60.426402
500
¥57.006039
1000
¥53.779282
Infineon Technologies SPW35N60CFDFKSA1
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- 对比
SPW35N60CFDFKSA1
1211-SPW35N60CFDFKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
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MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPW35N60CFDFKSA1详情
Infineon Technologies SPW35N60CFDFKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
34.1A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
313W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
118m Ω @ 21.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1.9mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5060pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
212nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-247AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
34.1A
漏极-源极导通最大电阻
0.118Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
85A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
1300 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SPW35N60CFDFKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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