Infineon Technologies TDB6HK180N16RRB11BPSA1

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

厂商

Infineon Technologies

Package

Tray

Product Status

活跃

Number of SCRs/Diodes

3 SCRs, 3 Diodes

Voltage-Off State

1.6 kV

Base Product Number

TDB6HK

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.75

Vr - Reverse Voltage

1600 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

15

Mounting Styles

压装

Part # Aliases

TDB6HK180N16RR_B11 SP005422422

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

RoHS

Details

系列

-

操作温度

175°C (TJ)

包装

Tray

类型

Half Bridge Module

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

Si

功率耗散

515

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）

2 V

电流-非反复浪涌 50, 60Hz (Itsm)

1600A @ 50Hz

最大闸极触发电流 （Igt）

100 mA

最大保持电流（Ih）

220 mA

结构

Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode

连续集电极电流

140

产品

Thyristor Power Modules

Vf-正向电压

1.2 V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules