Infineon Technologies AG BSZ165N04NS G

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e3

无铅代码

icon-pbfree no

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

31A

漏极-源极导通最大电阻

0.0165Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

124A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

5 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25W

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

符合RoHS标准