Infineon Technologies AG HYB314405BJ-50
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HYB314405BJ-50
1211-HYB314405BJ-50
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EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20
1最小包装量--
HYB314405BJ-50详情
Infineon Technologies AG HYB314405BJ-50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
20
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Access Time-Max
50 ns
Number of Words
1048576 words
Number of Words Code
1000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
SOJ
Package Equivalence Code
SOJ20/26,.34
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PDSO-J20
资历状况
不合格
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.07 mA
组织结构
1MX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
4194304 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
1024
自我刷新
NO
HYB314405BJ-50拓展信息
Infineon Technologies
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