Infineon Technologies AG IPD70N03S4L-04
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IPD70N03S4L-04
1211-IPD70N03S4L-04
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
1最小包装量--
IPD70N03S4L-04详情
Infineon Technologies AG IPD70N03S4L-04重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
4
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
无铅代码
icon-pbfree yes
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
附加功能
超低电阻
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
70A
漏极-源极导通最大电阻
0.0043Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
280A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
57 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
68W
达到SVHC
compliant
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD70N03S4L-04拓展信息
Infineon Technologies
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