Infineon Technologies AG SPU09N05
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SPU09N05
1211-SPU09N05
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, PLASTIC PACKAGE-3
1最小包装量--
SPU09N05详情
Infineon Technologies AG SPU09N05重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Package Code
TO-251
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Drain Current-Max (ID)
9.2 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251
漏极-源极导通最大电阻
0.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
37 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
35 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
24 W
SPU09N05拓展信息
Infineon Technologies AG
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