SPU09N05
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Infineon Technologies AG SPU09N05

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型号

SPU09N05

utmel 编号

1211-SPU09N05

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, PLASTIC PACKAGE-3

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SPU09N05 Infineon Technologies AG Description: Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, PLASTIC PACKAGE-3

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SPU09N05详情

Infineon Technologies AG SPU09N05重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Part Package Code

    TO-251

  • Package Description

    PLASTIC PACKAGE-3

  • Drain Current-Max (ID)

    9.2 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-251

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.1 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    37 A

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    35 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    24 W

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies AG SPU09N05.

SPU09N05拓展信息

IRFR3504Z
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IPL60R085P7 E8235
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IPP120P04P4L03AKSA
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BC160
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IRF7301TR
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BC856W
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SMBT6429
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