BCV61CE6327HTSA1
BCV61CE6327HTSA1

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Infineon Technologies BCV61CE6327HTSA1

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型号

BCV61CE6327HTSA1

utmel 编号

1211-BCV61CE6327HTSA1

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

TO-253-4, TO-253AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143

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BCV61CE6327HTSA1
BCV61CE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143

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BCV61CE6327HTSA1详情

Infineon Technologies BCV61CE6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-253-4, TO-253AA

  • 引脚数

    4

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    30V

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    110

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    最后一次购买

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 应用

    Current Mirror

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    100mA

  • 频率

    250MHz

  • 基本部件号

    BCV61

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    300mW

  • 无卤素

    不含卤素

  • 晶体管类型

    2 NPN, Base Collector Junction

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 转换频率

    250MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 最小直流增益(hFE)

    420

  • 宽度

    2.9mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BCV61CE6327HTSA1相似的参数规格。

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BCV61CE6327HTSA1拓展信息

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PTF040551E
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Infineon Technologies AG

PTF180601E
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PTFA142401FL
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