Infineon Technologies Canada Inc. GS-065-018-2-L-MR
- 收藏
- 对比
GS-065-018-2-L-MR
1211-GS-065-018-2-L-MR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-VDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

GS-065-018-2-L-MR
1最小包装量--
GS-065-018-2-L-MR详情
Infineon Technologies Canada Inc. GS-065-018-2-L-MR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
8-PDFN (8x8)
厂商
Infineon Technologies Canada Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.6V @ 4.8mA
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
110mOhm @ 5.5A, 6V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
132 pF @ 400 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4 nC @ 6 V
漏源电压 (Vdss)
650 V
Vgs(最大值)
+7V, -10V
GS-065-018-2-L-MR拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。