Integrated Device Technology 71321SA55JGI8
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71321SA55JGI8
1179-71321SA55JGI8
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
1最小包装量--
71321SA55JGI8详情
Integrated Device Technology 71321SA55JGI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
52
Package Description
QCCJ, LDCC52,.8SQ
Package Style
CHIP CARRIER
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
2000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
LDCC52,.8SQ
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
71321SA55JGI8
Number of Words
2048 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCJ
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.14
Part Package Code
LCC
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
52
JESD-30代码
S-PQCC-J52
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.19 mA
组织结构
2KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
4.572 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
16384 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
宽度
19.1262 mm
长度
19.1262 mm
71321SA55JGI8拓展信息
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