Integrated Device Technology IDT6116LA150DM

表面安装

NO

终端数量

24

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

2000

Package Body Material

CERAMIC

Package Equivalence Code

DIP24,.6

Operating Temperature-Min

-55 °C

Access Time-Max

150 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT6116LA150DM

Number of Words

2048 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

8.75

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-XDIP-T24

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

MILITARY

操作模式

ASYNCHRONOUS

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.0002 A

记忆密度

16384 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V