Integrated Device Technology IDT70V639S12BFI
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IDT70V639S12BFI
1179-IDT70V639S12BFI
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Dual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208
--最小包装量--
IDT70V639S12BFI详情
Integrated Device Technology IDT70V639S12BFI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
208
Package Description
TFBGA, BGA208,17X17,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA208,17X17,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
12 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT70V639S12BFI
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.18
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
208
JESD-30代码
S-PBGA-B208
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.45 V
电源
2.5/3.3,3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.15 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.515 mA
组织结构
128KX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
2359296 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
3.15 V
宽度
15 mm
长度
15 mm
IDT70V639S12BFI拓展信息
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