Integrated Device Technology (IDT) 6116LA25SOGI
- 收藏
- 对比
6116LA25SOGI
1179-6116LA25SOGI
存储器
SOIC
大陆
立即发货

SRAM Chip Async Single 5V 16K-Bit 2K x 8 25ns 24-Pin SOIC Tube/Tray
1最小包装量--
6116LA25SOGI详情
Integrated Device Technology (IDT) 6116LA25SOGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
SOIC
引脚数
24
Memory Types
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
24
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
24
工作电源电压
5V
电源
5V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
5.5V
最小电源电压
4.5V
内存大小
2kB
端口的数量
1
电源电流
95mA
访问时间
25 ns
组织结构
2KX8
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
11b
密度
16 kb
待机电流-最大值
0.00003A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
待机电压-最小值
2V
长度
15.4mm
宽度
7.6mm
器件厚度
2.34mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
6116LA25SOGI拓展信息
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT








哦! 它是空的。