6116LA25TPG
6116LA25TPG

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Integrated Device Technology (IDT) 6116LA25TPG

  • 收藏
  • 对比

型号

6116LA25TPG

utmel 编号

1179-6116LA25TPG

商品类别

存储器

封装

PDIP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Async Single 5V 16K-Bit 2K x 8 25ns 24-Pin PDIP Tube/Tray

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
6116LA25TPG
6116LA25TPG Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Async Single 5V 16K-Bit 2K x 8 25ns 24-Pin PDIP Tube/Tray

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

6116LA25TPG详情

Integrated Device Technology (IDT) 6116LA25TPG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 包装/外壳

    PDIP

  • 引脚数

    24

  • Memory Types

    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    24

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 最高工作温度

    70°C

  • 最小工作温度

    0°C

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    5V

  • 端子间距

    2.54mm

  • 引脚数量

    24

  • 工作电源电压

    5V

  • 电源

    5V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    5.5V

  • 最小电源电压

    4.5V

  • 内存大小

    2kB

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    95mA

  • 访问时间

    25 ns

  • 组织结构

    2KX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 地址总线宽度

    11b

  • 密度

    16 kb

  • 待机电流-最大值

    0.00003A

  • I/O类型

    COMMON

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    8b

  • 待机电压-最小值

    2V

  • 长度

    31.75mm

  • 宽度

    7.62mm

  • 器件厚度

    3.3mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 6116LA25TPG.

6116LA25TPG拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z