Integrated Device Technology (IDT) 6116LA70TDB

底架

通孔

包装/外壳

CDIP

引脚数

24

Memory Types

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Usage Level

Military grade

包装

Bulk

已出版

2013

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

24

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125°C

最小工作温度

-55°C

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

引脚数量

24

工作电源电压

5V

电源

5V

温度等级

MILITARY

界面

Parallel

最大电源电压

5.5V

最小电源电压

4.5V

内存大小

2kB

端口的数量

1

电源电流

85mA

访问时间

70 ns

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

地址总线宽度

11b

密度

16 kb

待机电流-最大值

0.0003A

筛选水平

MIL-STD-883 Class B

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

8b

待机电压-最小值

2V

长度

32.51mm

座位高度(最大)

5.08mm

宽度

7.62mm

器件厚度

3.56mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅