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Integrated Device Technology (IDT) 7006L45FB

Name: 7006L45FB
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-7006L45FB
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

7006L45FB

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-7006L45FB

商品类别

存储器

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON

起订量

1最小包装量--

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7006L45FB Integrated Device Technology (IDT) MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON

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7006L45FB详情

技术参数

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Integrated Device Technology (IDT) 7006L45FB重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

10 Weeks
表面安装

YES
引脚数

68
Memory Types

RAM, SDR, SRAM
Usage Level

Military grade
包装

Bulk
已出版

2010
JESD-609代码

e0
无铅代码

no
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

68
ECCN 代码

3A001.A.2.C
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度

125°C
最小工作温度

-55°C
HTS代码

8542.32.00.41
端子位置

QUAD
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

240
功能数量

1
电源电压

5V
端子间距

1.27mm
引脚数量

68
电源

5V
温度等级

MILITARY
界面

Parallel
最大电源电压

5.5V
最小电源电压

4.5V
内存大小

16kB
端口的数量

2
电源电流-最大值

0.34mA
访问时间

45 ns
组织结构

16KX8
输出特性

3-STATE
待机电流-最大值

0.004A
记忆密度

131072 bit
筛选水平

MIL-STD-883 Class B
I/O类型

COMMON
待机电压-最小值

2V
长度

24mm
宽度

24mm
器件厚度

2mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

含铅

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 7006L45FB.

数据表 :
7006L45FB-Integrated-Device-Technology-datasheet-13692582.pdf 7006l45fb-P03NUskC-loeb9JJ4j.pdf 7006L45FB-Integrated-Device-Technology-datasheet-11794486.pdf

7006L45FB拓展信息

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