Integrated Device Technology (IDT) 70P249L65BYGI8
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70P249L65BYGI8
1179-70P249L65BYGI8
存储器
TFBGA
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SRAM Low Power Dual-Port RAM IC
1最小包装量--
70P249L65BYGI8详情
Integrated Device Technology (IDT) 70P249L65BYGI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
包装/外壳
TFBGA
表面安装
YES
引脚数
100
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
包装
Tape & Reel
已出版
2008
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
100
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3V
最小电源电压
1.8V
内存大小
8kB
端口的数量
2
电源电流-最大值
0.07mA
访问时间
65 ns
组织结构
4KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
地址总线宽度
24b
密度
64 kb
待机电流-最大值
0.000006A
I/O类型
COMMON
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
70P249L65BYGI8拓展信息
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