Integrated Device Technology (IDT) 70T653MS10BCG
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70T653MS10BCG
1179-70T653MS10BCG
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SRAM Chip Async Dual 2.5V 18M-Bit 512K x 36 10ns 256-Pin CABGA
1最小包装量--
70T653MS10BCG详情
Integrated Device Technology (IDT) 70T653MS10BCG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
表面安装
YES
引脚数
256
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
已出版
2009
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
256
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
256
工作电源电压
2.5V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
2.6V
最小电源电压
2.4V
内存大小
2.3MB
端口的数量
2
电源电流-最大值
0.81mA
访问时间
10 ns
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
38b
密度
18 Mb
I/O类型
COMMON
长度
17mm
座位高度(最大)
1.5mm
宽度
17mm
器件厚度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
70T653MS10BCG拓展信息
IDT
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