Integrated Device Technology (IDT) 70V05L35J
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70V05L35J
1179-70V05L35J
存储器
PLCC
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SRAM Chip Async Dual 3.3V 64K-Bit 8K x 8 35ns 68-Pin PLCC
1最小包装量--
70V05L35J详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V05L35J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
包装/外壳
PLCC
表面安装
YES
引脚数
68
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
已出版
2006
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
68
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3.3V
引脚数量
68
工作电源电压
3.3V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
3V
内存大小
8kB
端口的数量
2
电源电流-最大值
0.155mA
访问时间
35 ns
组织结构
8KX8
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
26b
密度
64 kb
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
3V
长度
24mm
宽度
24mm
器件厚度
3.63mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
70V05L35J拓展信息
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