Integrated Device Technology (IDT) 70V3379S5BFI
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70V3379S5BFI
1179-70V3379S5BFI
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SRAM Chip Sync Dual 3.3V 576K-Bit 32K x 18 5ns 208-Pin CABGA
1最小包装量--
70V3379S5BFI详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V3379S5BFI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
表面安装
YES
引脚数
208
Memory Types
RAM, SRAM
已出版
2009
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
208
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
附加功能
PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
208
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.45V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.15V
界面
Parallel
端口的数量
2
时钟频率
100MHz
电源电流-最大值
0.415mA
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
30b
密度
576 kb
待机电流-最大值
0.03A
访问时间(最大)
5 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
3.15V
长度
15mm
宽度
15mm
器件厚度
1.4mm
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
无铅
含铅
70V3379S5BFI拓展信息
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