Integrated Device Technology (IDT) 70V3569S6DRI
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70V3569S6DRI
1179-70V3569S6DRI
存储器
208-BFQFP
大陆
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Dual-Port SRAM, 16KX36, 6ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
1最小包装量--
70V3569S6DRI详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V3569S6DRI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
208-BFQFP
供应商器件包装
208-PQFP (28x28)
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
--
包装
Tray
零件状态
Obsolete
技术
SRAM - Dual Port, Synchronous
电压 - 供电
3.15 V ~ 3.45 V
内存大小
576Kb (16K x 36)
访问时间
6ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
--
70V3569S6DRI拓展信息
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