Integrated Device Technology (IDT) 70V3579S6BCI8
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70V3579S6BCI8
1179-70V3579S6BCI8
存储器
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SRAM Chip Sync Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 6ns 256-Pin CABGA T/R
1最小包装量--
70V3579S6BCI8详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V3579S6BCI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
7 Weeks
表面安装
YES
引脚数
256
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
包装
Tape & Reel
已出版
2014
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
4 (72 Hours)
终止次数
256
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3.3V
引脚数量
256
工作电源电压
3.3V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.45V
最小电源电压
3.15V
内存大小
128kB
端口的数量
2
访问时间
12 ns
地址总线宽度
30b
密度
1.1 Mb
长度
17mm
宽度
17mm
器件厚度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
70V3579S6BCI8拓展信息
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