Integrated Device Technology (IDT) 70V657S10DRG8
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70V657S10DRG8
1179-70V657S10DRG8
存储器
PQFP
大陆
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SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 10ns 208-Pin PQFP T/R
1最小包装量--
70V657S10DRG8详情
Integrated Device Technology (IDT) 70V657S10DRG8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PQFP
表面安装
YES
引脚数
208
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
208
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.5mm
引脚数量
208
工作电源电压
3.3V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.45V
最小电源电压
3.15V
内存大小
128kB
端口的数量
2
访问时间
10 ns
地址总线宽度
15b
密度
1.1 Mb
长度
28mm
座位高度(最大)
4.1mm
宽度
28mm
器件厚度
3.5mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
70V657S10DRG8拓展信息
IDT
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