Integrated Device Technology (IDT) 70V658S12DR

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

PQFP

引脚数

208

Memory Types

RAM, SDR, SRAM

包装

Bulk

已出版

2009

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

208

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

70°C

最小工作温度

0°C

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

电源电压

3.3V

端子间距

0.5mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

引脚数量

208

工作电源电压

3.3V

温度等级

COMMERCIAL

界面

Parallel

最大电源电压

3.45V

最小电源电压

3.15V

内存大小

256kB

端口的数量

2

电源电流

465mA

访问时间

12 ns

组织结构

64KX36

输出特性

3-STATE

地址总线宽度

32b

密度

2.3 Mb

待机电流-最大值

0.015A

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

36b

长度

28mm

座位高度(最大)

4.1mm

宽度

28mm

器件厚度

3.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅