Integrated Device Technology (IDT) 70V659S10BF8

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

引脚数

208

Memory Types

RAM, SDR, SRAM

已出版

2009

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

208

端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)

最高工作温度

70°C

最小工作温度

0°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

电源电压

3.3V

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

引脚数量

208

工作电源电压

3.3V

温度等级

COMMERCIAL

界面

Parallel

最大电源电压

3.45V

最小电源电压

3.15V

内存大小

512kB

端口的数量

2

电源电流

500mA

最大电源电流

500mA

访问时间

10 ns

输出特性

3-STATE

地址总线宽度

34b

密度

4.5 Mb

待机电流-最大值

0.015A

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

36b

高度

1.4mm

长度

15mm

宽度

15mm

器件厚度

1.4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅