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Integrated Device Technology (IDT) 70V7519S133BF8

Name: 70V7519S133BF8
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-70V7519S133BF8
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

70V7519S133BF8

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-70V7519S133BF8

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 256K x 36 15ns/4.2ns 208-Pin CABGA T/R

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70V7519S133BF8 Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 256K x 36 15ns/4.2ns 208-Pin CABGA T/R

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技术参数

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型号对比

Integrated Device Technology (IDT) 70V7519S133BF8重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

7 Weeks
底架

表面贴装
引脚数

208
Memory Types

RAM, SDR, SRAM
已出版

2009
JESD-609代码

e0
无铅代码

no
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

208
端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度

70°C
最小工作温度

0°C
附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）

225
功能数量

1
电源电压

3.3V
端子间距

0.8mm
频率

133MHz
引脚数量

208
工作电源电压

3.3V
温度等级

COMMERCIAL
界面

Parallel
最大电源电压

3.45V
最小电源电压

3.15V
内存大小

1.1MB
端口的数量

2
电源电流

645mA
最大电源电流

645mA
访问时间

25 ns
输出特性

3-STATE
地址总线宽度

18b
密度

9 Mb
待机电流-最大值

0.03A
I/O类型

COMMON
同步/异步

Synchronous
字长

36b
高度

1.4mm
长度

15mm
宽度

15mm
器件厚度

1.4mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

含铅

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 70V7519S133BF8.

数据表 :
70V7519S133BF8-Integrated-Device-Technology-datasheet-11721156.pdf 70v7519s133bf8-v8KTzCDB-kja4b1Awo.pdf

70V7519S133BF8拓展信息

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